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NESG210719-T1中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

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厂商型号

NESG210719-T1

功能描述

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

文件大小

124.41 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

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数据手册

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更新时间

2025-12-10 20:14:00

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NESG210719-T1规格书详情

FEATURES

• The NESG210719 is an ideal choice for OSC, low noise, high-gain amplification

• High breakdown voltage technology for SiGe Tr.

• 3-pin ultra super minimold (19, 1608 PKG)

产品属性

  • 型号:

    NESG210719-T1

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    NECs NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CEL
新年份
SOT-523
15000
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NEC
24+
NA/
42300
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CEL
20+
SOT-523
36800
原装优势主营型号-可开原型号增税票
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NEC
06+
SOT23
30000
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CEL
24+
原厂原装
5000
原装正品
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NEC
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NEC
22+
SOT23-3
3000
原装正品,支持实单
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RENESAS/瑞萨
23+
SOT-523
50000
原装正品 支持实单
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NEC
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