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NESG210719-T1-A中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

NESG210719-T1-A
厂商型号

NESG210719-T1-A

功能描述

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

文件大小

124.41 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-4 9:14:00

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NESG210719-T1-A规格书详情

FEATURES

• The NESG210719 is an ideal choice for OSC, low noise, high-gain amplification

• High breakdown voltage technology for SiGe Tr.

• 3-pin ultra super minimold (19, 1608 PKG)

产品属性

  • 型号:

    NESG210719-T1-A

  • 功能描述:

    射频硅锗晶体管 NPN Amp/Oscillator

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies 发射极 - 基极电压

  • 封装:

    Reel

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
06+
SOT23
30000
旗舰店
询价
CEL
25+
3-SMD 扁平引线
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
询价
CEL
2025+
SOT-523
7695
全新原厂原装产品、公司现货销售
询价
NEC
23+
SOT23
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
RENESAS/瑞萨
24+
SOT-523
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
询价
CEL
24+
SOT-523
15000
原装现货假一赔十
询价
NEC
21+
SMD
10000
原装现货假一罚十
询价
NEC
22+
M33
3000
原装正品,支持实单
询价
CEL
19+
SOT-523
200000
询价
RENESAS
23+
SC-59
45000
原装正品现货
询价