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MRF581	文件：240.39 Kbytes Page：6 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: Designed for high current, low power, low noise, amplifiers up to 1.0 GHz. Features • Low Noise - 2.5 dB @ 500 MHZ • Gain at Optimum Noise Figure = 15.5 dB @ 500 MHz • Ftau - 5.0 GHz @ 10v, 75mA • Cost Effective MacroX Package 文件：240.39 Kbytes 页数：6 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
MRF581	文件：35.95 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF TRANSISTOR DESCRIPTION: The MRF581 is Designed for High current low Power Amplifier Applications up to 1.0 GHz. FEATURES: • Low Noise Figure • Low Intermodulation Distortion • High Gain • Omnigold™ Metalization System 文件：35.95 Kbytes 页数：1 Pages	ASI	ASI
MRF5811LT1	文件：155.6 Kbytes Page：8 Pages	LOW NOISE HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR NPN SILICON The RF Line NPN Silicon High-Frequency Transistor Designed for high current, low power amplifiers up to 1.0 GHz. • Low Noise (2.0 dB @ 500 MHz) • Low Intermodulation Distortion • High Gain • State–of–the–Art Technology Fine Line Geometry Arsenic Emitters Gold Top Metallization 文件：155.6 Kbytes 页数：8 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MRF5812	文件：27.13 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF MICROWAVE TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI MRF5812 is Designed for high current, low power, low noise, amplifiers up to 1.0 GHz. FEATURES: • Low Noise – 2.5 dB @ 500 MHz • Ftau – 5.0 GHz @ 10 V, 75 mA • Cost Effective SO-8 package 文件：27.13 Kbytes 页数：1 Pages	ASI	ASI
MRF5812	文件：173.04 Kbytes Page：5 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: Designed for high current, low power, low noise, amplifiers up to 1.0 GHz. Features • Low Noise - 2.5 dB @ 500 MHZ • Associated Gain = 15.5 dB @ 500 MHz • Ftau - 5.0 GHz @ 10v, 75mA • Cost Effective SO-8 package 文件：173.04 Kbytes 页数：5 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
MRF5812	文件：125.09 Kbytes Page：5 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: Designed for high current, low power, low noise, amplifiers up to 1.0 GHz. Features • Low Noise - 2.5 dB @ 500 MHZ • Associated Gain = 15.5 dB @ 500 MHz • Ftau - 5.0 GHz @ 10v, 75mA • Cost Effective SO-8 package 文件：125.09 Kbytes 页数：5 Pages	ADPOW	ADPOW
MRF5812G	文件：125.09 Kbytes Page：5 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: Designed for high current, low power, low noise, amplifiers up to 1.0 GHz. Features • Low Noise - 2.5 dB @ 500 MHZ • Associated Gain = 15.5 dB @ 500 MHz • Ftau - 5.0 GHz @ 10v, 75mA • Cost Effective SO-8 package 文件：125.09 Kbytes 页数：5 Pages	ADPOW	ADPOW
MRF5812R1	文件：173.04 Kbytes Page：5 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: Designed for high current, low power, low noise, amplifiers up to 1.0 GHz. Features • Low Noise - 2.5 dB @ 500 MHZ • Associated Gain = 15.5 dB @ 500 MHz • Ftau - 5.0 GHz @ 10v, 75mA • Cost Effective SO-8 package 文件：173.04 Kbytes 页数：5 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
MRF5812R2	文件：173.04 Kbytes Page：5 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: Designed for high current, low power, low noise, amplifiers up to 1.0 GHz. Features • Low Noise - 2.5 dB @ 500 MHZ • Associated Gain = 15.5 dB @ 500 MHz • Ftau - 5.0 GHz @ 10v, 75mA • Cost Effective SO-8 package 文件：173.04 Kbytes 页数：5 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
MRF581A	文件：240.39 Kbytes Page：6 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: Designed for high current, low power, low noise, amplifiers up to 1.0 GHz. Features • Low Noise - 2.5 dB @ 500 MHZ • Gain at Optimum Noise Figure = 15.5 dB @ 500 MHz • Ftau - 5.0 GHz @ 10v, 75mA • Cost Effective MacroX Package 文件：240.39 Kbytes 页数：6 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

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晶体管资料

型号：
MRF501
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
超高频/特高频（UHF）_前置放大（V）_混频（M）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
最大电流允许值：
最大工作频率：
1000MHZ
引脚数：
4
可代换的型号：
BF357,BF377,BF378,3DG44A,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
D-13
vtest：
0
htest：
1000000000
atest：
0
wtest：
0

技术参数

Peak Reverse Repetitive Voltage：
5000V
Peak Reverse Recovery Time：
150ns
Peak Reverse Current：
0.5uA
Peak Non-Repetitive Surge Current：
50A
Peak Forward Voltage：
9V
Maximum Continuous Forward Current：
0.5A
Configuration：
Single

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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