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MRF581	文件：240.39 Kbytes Page：6 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features •LowNoise-2.5dB@500MHZ •GainatOptimumNoiseFigure=15.5dB@500MHz •Ftau-5.0GHz@10v,75mA •CostEffectiveMacroXPackage	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
MRF581	文件：282.49 Kbytes Page：6 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features •LowNoise-2.5dB@500MHZ •GainatOptimumNoiseFigure=15.5dB@500MHz •Ftau-5.0GHz@10v,75mA •CostEffectiveMacroXPackage	ADPOW Advanced Power Technology
MRF581	文件：35.95 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF TRANSISTOR DESCRIPTION: TheMRF581isDesignedforHighcurrentlowPowerAmplifierApplicationsupto1.0GHz. FEATURES: •LowNoiseFigure •LowIntermodulationDistortion •HighGain •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor, Inc
MRF581	文件：99.08 Kbytes Page：3 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features •LowNoise-2.5dB@500MHZ •GainatOptimumNoiseFigure=15.5dB@500MHz •Ftau-5.0GHz@10v,75mA •CostEffectiveMacroXPackage	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
MRF581	文件：162.77 Kbytes Page：6 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
MRF581	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：微型-X 陶瓷 84C 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
MRF5811LT1	文件：155.6 Kbytes Page：8 Pages	LOW NOISE HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR NPN SILICON TheRFLine NPNSilicon High-FrequencyTransistor Designedforhighcurrent,lowpoweramplifiersupto1.0GHz. •LowNoise(2.0dB@500MHz) •LowIntermodulationDistortion •HighGain •State–of–the–ArtTechnology FineLineGeometry ArsenicEmitters GoldTopMetallization	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MRF5812	文件：173.04 Kbytes Page：5 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features •LowNoise-2.5dB@500MHZ •AssociatedGain=15.5dB@500MHz •Ftau-5.0GHz@10v,75mA •CostEffectiveSO-8package	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
MRF5812	文件：125.09 Kbytes Page：5 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features •LowNoise-2.5dB@500MHZ •AssociatedGain=15.5dB@500MHz •Ftau-5.0GHz@10v,75mA •CostEffectiveSO-8package	ADPOW Advanced Power Technology
MRF5812	文件：27.13 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF MICROWAVE TRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIMRF5812isDesignedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. FEATURES: •LowNoise–2.5dB@500MHz •Ftau–5.0GHz@10V,75mA •CostEffectiveSO-8package	ASI Advanced Semiconductor, Inc
MRF5812G	文件：125.09 Kbytes Page：5 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features •LowNoise-2.5dB@500MHZ •AssociatedGain=15.5dB@500MHz •Ftau-5.0GHz@10v,75mA •CostEffectiveSO-8package	ADPOW Advanced Power Technology
MRF5812R1	文件：173.04 Kbytes Page：5 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features •LowNoise-2.5dB@500MHZ •AssociatedGain=15.5dB@500MHz •Ftau-5.0GHz@10v,75mA •CostEffectiveSO-8package	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
MRF5812R2	文件：173.04 Kbytes Page：5 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features •LowNoise-2.5dB@500MHZ •AssociatedGain=15.5dB@500MHz •Ftau-5.0GHz@10v,75mA •CostEffectiveSO-8package	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
MRF581A	文件：240.39 Kbytes Page：6 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features •LowNoise-2.5dB@500MHZ •GainatOptimumNoiseFigure=15.5dB@500MHz •Ftau-5.0GHz@10v,75mA •CostEffectiveMacroXPackage	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
MRF581A	文件：282.49 Kbytes Page：6 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features •LowNoise-2.5dB@500MHZ •GainatOptimumNoiseFigure=15.5dB@500MHz •Ftau-5.0GHz@10v,75mA •CostEffectiveMacroXPackage	ADPOW Advanced Power Technology
MRF581A	文件：99.08 Kbytes Page：3 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features •LowNoise-2.5dB@500MHZ •GainatOptimumNoiseFigure=15.5dB@500MHz •Ftau-5.0GHz@10v,75mA •CostEffectiveMacroXPackage	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
MRF581_08	文件：162.77 Kbytes Page：6 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
MRF581A	文件：162.77 Kbytes Page：6 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
MRF581AG	文件：162.77 Kbytes Page：6 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
MRF581G	文件：162.77 Kbytes Page：6 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司

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产品属性

产品编号：
MRF581
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
18V
频率 - 跃迁：
5GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
增益：
13dB ~ 15.5dB
功率 - 最大值：
1.25W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 50mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
200mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
微型-X 陶瓷 84C
供应商器件封装：
微型-X 陶瓷 84C
描述：
RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X

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更多MRF581供应商更新时间2024-4-25 16:11:00

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