MRF5812G分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MRF5812G |
| 参数属性 | MRF5812G 封装/外壳为8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装为带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO |
| 功能描述 | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
| 封装外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 文件大小 |
125.09 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | Advanced Power Technology |
| 企业简称 |
ADPOW |
| 中文名称 | Advanced Power Technology官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-28 22:58:00 |
| 人工找货 | MRF5812G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MRF5812G规格书详情
DESCRIPTION: Designed for high current, low power, low noise, amplifiers up to 1.0 GHz.
Features
• Low Noise - 2.5 dB @ 500 MHZ
• Associated Gain = 15.5 dB @ 500 MHz
• Ftau - 5.0 GHz @ 10v, 75mA
• Cost Effective SO-8 package
产品属性
- 产品编号：
MRF5812G
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
带
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
15V
- 频率 - 跃迁：
5GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
2dB ~ 3dB @ 500MHz
- 增益：
13dB ~ 15.5dB
- 功率 - 最大值：
1.25W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 50mA，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
200mA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：
8-SO
- 描述：
RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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