| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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14年
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MicrosemiSMT |
5632 |
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11年
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MSTAR |
68500 |
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MICRO-SEMI |
10000 |
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17年
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MSTAR |
315 |
24+ |
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15年
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Microsemi |
51 |
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15年
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Microsemi56p/50V |
51 |
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MRF559G图片
MRF559G中文资料Alldatasheet PDF
更多MRF559G功能描述:TRANS NPN 16V 150MA MACRO X RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管(BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极(Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR
MRF559GT制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MRF559GT - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT
产品属性
- 产品编号：
MRF559G
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
16V
- 频率 - 跃迁：
870MHz
- 增益：
9.5dB
- 功率 - 最大值：
2W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 50mA，10V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
150mA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
微型-X 陶瓷 84C
- 供应商器件封装：
微型-X 陶瓷 84C
- 描述：
RF TRANS NPN 16V 870MHZ MICRO X
