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MRF559分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

MRF559

参数属性

MRF559 封装/外壳为Macro-X;包装为带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 16V 870MHZ MACRO X

功能描述

RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
RF TRANS NPN 16V 870MHZ MACRO X

封装外壳

Macro-X

文件大小

208.6 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

MICROSEMI

中文名称

美高森美

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数据手册

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更新时间

2026-2-4 17:23:00

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MRF559规格书详情

MRF559属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由美高森美半导体公司制造生产的MRF559晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

DESCRIPTION: Designed primarily for wideband large signal stages in the UHF frequency range.

特性 Features

• Specified @ 12.5 V, 870 MHz Characteristics

• Output Power = .5 W

• Minimum Gain = 8.0 dB

• Efficiency 50

• Cost Effective Macro X Package

• Electroless Tin Plated Leads for Improved Solderability

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MRF559

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    16V

  • 频率 - 跃迁:

    870MHz

  • 增益:

    9.5dB

  • 功率 - 最大值:

    2W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 50mA,10V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    150mA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    Macro-X

  • 供应商器件封装:

    Macro-X

  • 描述:

    RF TRANS NPN 16V 870MHZ MACRO X

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