MRF553分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
MRF553规格书详情
The RF Line
NPN Silicon RF Low Power Transistor
Designed primarily for wideband large signal predriver stages in the VHF frequency range.
• Specified @ 12.5 V, 175 MHz Characteristics
Output Power = 1.5 W
Minimum Gain = 11.5 dB
Efficiency 60 (Typ)
• Cost Effective PowerMacro Package
• Electroless Tin Plated Leads for Improved Solderability
• Circuit board photomaster available upon request by contacting RF Tactical Marketing in Phoenix, AZ.
产品属性
- 产品编号：
MRF553
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
带
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
16V
- 频率 - 跃迁：
175MHz
- 增益：
11.5dB
- 功率 - 最大值：
3W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 250mA，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
500mA
- 描述：
RF TRANS NPN 16V 175MHZ
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