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MRF517分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

MRF517
厂商型号

MRF517

参数属性

MRF517 封装/外壳为TO-205AD,TO-39-3 金属罐;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 20V 4GHZ TO39

功能描述

RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
RF TRANS NPN 20V 4GHZ TO39

封装外壳

TO-205AD,TO-39-3 金属罐

文件大小

320.83 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Microsemi Corporation
企业简称

MICROSEMI美高森美

中文名称

美高森美公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-24 17:23:00

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MRF517规格书详情

MRF517属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由美高森美公司制造生产的MRF517晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

Features

· Silicon NPN, To-39 packaged VHF/UHF Transistor

· Gpe = 10 dB (typ) @ 60 mA, 300 MHz

· 3 GHz Current-Gain Bandwidth Product (min) @ 60mA

· Broadband Noise Figure = 7.5 dB @ 50mA, 300 MHz

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MRF517

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    20V

  • 频率 - 跃迁:

    4GHz

  • 增益:

    9dB ~ 10dB

  • 功率 - 最大值:

    2.5W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 60mA,10V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    150mA

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-205AD,TO-39-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-39

  • 描述:

    RF TRANS NPN 20V 4GHZ TO39

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