MRF517分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料
厂商型号 |
MRF517 |
参数属性 | MRF517 封装/外壳为TO-205AD,TO-39-3 金属罐;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 20V 4GHZ TO39 |
功能描述 | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
封装外壳 | TO-205AD,TO-39-3 金属罐 |
文件大小 |
320.83 Kbytes |
页面数量 |
5 页 |
生产厂商 | Microsemi Corporation |
企业简称 |
MICROSEMI【美高森美】 |
中文名称 | 美高森美公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-24 17:23:00 |
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MRF517规格书详情
MRF517属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由美高森美公司制造生产的MRF517晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
Features
· Silicon NPN, To-39 packaged VHF/UHF Transistor
· Gpe = 10 dB (typ) @ 60 mA, 300 MHz
· 3 GHz Current-Gain Bandwidth Product (min) @ 60mA
· Broadband Noise Figure = 7.5 dB @ 50mA, 300 MHz
产品属性
更多- 产品编号:
MRF517
- 制造商:
Microsemi Corporation
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
20V
- 频率 - 跃迁:
4GHz
- 增益:
9dB ~ 10dB
- 功率 - 最大值:
2.5W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
50 @ 60mA,10V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
150mA
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-205AD,TO-39-3 金属罐
- 供应商器件封装:
TO-39
- 描述:
RF TRANS NPN 20V 4GHZ TO39
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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