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MRF517 | NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI MRF517 is Designed for High Linearity Class A Amplifier Applications in the 100 to 500 MHz Frequency Range. 文件：32.14 Kbytes 页数：1 Pages | ASI | ASI | |
MRF517 | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS Features · Silicon NPN, To-39 packaged VHF/UHF Transistor · Gpe = 10 dB (typ) @ 60 mA, 300 MHz · 3 GHz Current-Gain Bandwidth Product (min) @ 60mA · Broadband Noise Figure = 7.5 dB @ 50mA, 300 MHz 文件：320.83 Kbytes 页数：5 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | |
MRF517 | RF/Microwave Si BJT Power Devices & Pallets | Microchip 微芯科技 | Microchip | |
MRF517 | Package：TO-205AD，TO-39-3 金属罐；包装：散装 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 描述：RF TRANS NPN 20V 4GHZ TO39 | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | |
NPN RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The MRF5174 is a Common Emitter Device Designed for Class A, AB and C Amplifier Applications in the 225 to 400 MHz Band. FEATURES INCLUDE: • High Gain • Gold Metallization • Emitter Ballasting 文件：13.77 Kbytes 页数：1 Pages | ASI | ASI | ||
1NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI MRF5175 is Designed for High Power Class C Amplifier in, 225 to 400 MHz Military Communication Equipment. FEATURES: • Class C Operation • PG = 11 dB at 5.0 W/400 MHz • Omnigold™ Metalization System 文件：32.42 Kbytes 页数：1 Pages | ASI | ASI | ||
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI MRF5176 is Designed for Class C Amplifiers in 225 to 400 MHz Military Communication Equipment. FEATURES: • PG = 10 dB Typical at 400 MHz • Economical .280” Stud Package • Omnigold™ Metalization System 文件：99.73 Kbytes 页数：1 Pages | ASI | ASI | ||
RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
文件：109.44 Kbytes 页数：3 Pages | MOTOROLA 摩托罗拉 | MOTOROLA | ||
30W, 400MHZ RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
文件：119.94 Kbytes 页数：3 Pages | MOTOROLA 摩托罗拉 | MOTOROLA | ||
30W, 400MHZ RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
文件：119.94 Kbytes 页数：3 Pages | MOTOROLA 摩托罗拉 | MOTOROLA |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
超高频/特高频 （UHF）_TR
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
60V
- 最大电流允许值：
0.5A
- 最大工作频率：
400MHZ
- 引脚数：
4
- 可代换的型号：
BLW42,BLW92,BLX92,
- 最大耗散功率：
2W
- 放大倍数：
- 图片代号：
G-127
- vtest：
60
- htest：
400000000
- atest：
0.5
- wtest：
2
产品属性
- 产品编号：
MRF517
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
20V
- 频率 - 跃迁：
4GHz
- 增益：
9dB ~ 10dB
- 功率 - 最大值：
2.5W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 60mA，10V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
150mA
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-205AD，TO-39-3 金属罐
- 供应商器件封装：
TO-39
- 描述：
RF TRANS NPN 20V 4GHZ TO39
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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