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MRF5175	文件：32.42 Kbytes Page：1 Pages	1NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIMRF5175isDesignedforHighPowerClassCAmplifierin,225to400MHzMilitaryCommunication Equipment. FEATURES: •ClassCOperation •PG=11dBat5.0W/400MHz •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor, Inc
ACE5175X	文件：255.9 Kbytes Page：4 Pages	7V600mA75dBHighPSRR,HighSpeedLDO	ACE ACE Technology Co., LTD.
ACE5175XBNH	文件：255.9 Kbytes Page：4 Pages	7V600mA75dBHighPSRR,HighSpeedLDO	ACE ACE Technology Co., LTD.
AD5175	文件：1.033619 Mbytes Page：20 Pages	Single-Channel,1024-Position,DigitalRheostatwithI2CInterfaceand50-TPMemory	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
BX5175	文件：73.67 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERMODEL	APITECH API Technologies Corp
C5175G	文件：880.27 Kbytes Page：2 Pages	5000WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT 5000WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT	POWERBOX Powerbox manufactures
C5175K	文件：880.27 Kbytes Page：2 Pages	5000WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT 5000WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT	POWERBOX Powerbox manufactures
C5175V	文件：880.27 Kbytes Page：2 Pages	5000WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT 5000WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT	POWERBOX Powerbox manufactures
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CEB5175	文件：503.67 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -55V,-50A,RDS(ON)=23mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=28mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CED5175	文件：269.98 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -55V,-40A,RDS(ON)=23mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=28mW@VGS=-4.5V. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CED5175	文件：274 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-55V,-40A,RDS(ON)=23mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=28mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEP5175	文件：683.38 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-55V,-50A,RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEP5175	文件：503.67 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -55V,-50A,RDS(ON)=23mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=28mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEU5175	文件：269.98 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -55V,-40A,RDS(ON)=23mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=28mW@VGS=-4.5V. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEU5175	文件：274 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-55V,-40A,RDS(ON)=23mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=28mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEZ5175	文件：535.62 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -55V,-48A,RDS(ON)=23mW@VGS=-10V. RDS(ON)=28mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
EL5175	文件：753.55 Kbytes Page：15 Pages	550MHzDifferentialLineReceivers TheEL5175andEL5375aresingleandtriplehighbandwidthamplifiersdesignedtoextractthedifferencesignalfromnoisyenvironments.Theyareprimarilytargetedforapplicationssuchasreceivingsignalsfromtwisted-pairlinesoranyapplicationwherecommonmodenoiseinjectionislikelyto	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
EL5175	文件：337.26 Kbytes Page：16 Pages	550MHzDifferentialLineReceivers	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
EL5175	文件：441.12 Kbytes Page：15 Pages	550MHzDifferentialLineReceivers TheEL5175andEL5375aresingleandtriplehighbandwidthamplifiersdesignedtoextractthedifferencesignalfromnoisyenvironments.Theyareprimarilytargetedforapplicationssuchasreceivingsignalsfromtwisted-pairlinesoranyapplicationwherecommonmodenoiseinjectionislikelyto	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社

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晶体管资料

型号：
MRF5175
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
超高频/特高频（UHF）_TR
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
400MHZ
引脚数：
4
可代换的型号：
BLW453,BLW93,BLX93,
最大耗散功率：
5W
放大倍数：
图片代号：
G-127
vtest：
60
htest：
400000000
atest：
1
wtest：
5

详细参数

型号：
MRF5175
制造商：
ASI
制造商全称：
ASI
功能描述：
1NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MRF5175供应商更新时间2024-4-28 8:30:00

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