| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市誉腾达半导体科技有限公司1年
留言
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ONTO-236-3 |
8045 |
22+ |
公司只有原装 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
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ONTO-236-3 |
8000 |
23+ |
只做原装正品,假一罚十 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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ONSOT23 |
26000 |
18+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
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深圳市乐峰达科技有限公司1年
留言
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ONTO-236-3 |
8000 |
22+ |
原厂原装,实单加微信 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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ON/安森美SOT-23-3 |
60000 |
21+ |
绝对原装正品现货,假一罚十 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ON/安森美SOT-23 |
59640 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美SOT23 |
7906200 |
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深圳市壹芯创科技有限公司12年
留言
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ONSOT-23 |
23000 |
22+ |
全新原装现货,量大特价,原厂正规渠道! |
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深圳市豪迈兴电子有限公司3年
留言
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ON/安森美NA |
32280 |
2339+ |
原装现货 假一罚十！十年信誉只做原装！ |
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深圳市智创诚芯电子科技有限公司4年
留言
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ON/安森美货真价实,假一罚十 |
25000 |
SOT-23 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ON/安森美SOT23 |
24000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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ON/安森美SOT-23 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市龙瀚电子有限公司2年
留言
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ONSOT-23 |
78000 |
16+/17+ |
渠道现货库存-原装正品 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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ON/安森美1000 |
714 |
SOT-23 |
只做原装正品,现货 |
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京海半导体(深圳)有限公司2年
留言
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ONTO-236-3 |
8045 |
22+ |
只做原装，支持实单，来电咨询。 |
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深圳市龙瀚电子有限公司4年
留言
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ONSOT-23 |
7352 |
16+/17+ |
渠道现货库存-原装正品 |
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海芯未来半导体电子（深圳）有限公司2年
留言
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ONSOT-23 |
14950 |
1421+ |
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深圳市鼎欣微电子有限公司4年
留言
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ON/安森美SOT-23 |
30000 |
21+ |
只做正品原装现货 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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ONNN/A |
1683 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳市华鑫创达电子有限公司1年
留言
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SEIKO/精工TSSOP-8 |
10000 |
21+ |
公司原装现货,欢迎咨询 |
MUN2211采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
MUN2211图片
MUN2211T1G价格
MUN2211T1G价格：￥0.0814品牌：ONSemi
生产厂家品牌为ONSemi的MUN2211T1G多少钱，想知道MUN2211T1G价格是多少？参考价：￥0.0814。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，MUN2211T1G批发价格及采购报价，MUN2211T1G销售排行榜及行情走势，MUN2211T1G报价。
MUN2211T1资讯
MUN2211T3G 深圳市鑫欧美电子有限公司
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MUN2211T1中文资料Alldatasheet PDF
更多MUN2211制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
MUN2211_09制造商:WEITRON 制造商全称:Weitron Technology 功能描述:NPN Silicon Bias Resistor Transistor
MUN2211JT1功能描述:TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 系列:- 标准包装:10,000 系列:- 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)（最大）:100mA 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:50V 电阻器 - 基极(R1)（欧）:47k 电阻器 - 发射极(R2)（欧）:47k 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大）:- 频率 - 转换:100MHz 功率 - 最大:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商设备封装:PG-SOT323-3 包装:带卷(TR) 其它名称:SP000756242
MUN2211JT1G功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 SS BR XSTR NPN 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
MUN2211RT1制造商:LRC 制造商全称:Leshan Radio Company 功能描述:Bias Resistor Transistor
MUN2211T1功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
MUN2211T1/D功能描述:Bias Resistor Transistors
MUN2211T1_07制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Bias Resistor Transistors
MUN2211T1G功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
MUN2211T3功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-N+R
- 性质：
表面帖装型 （SMD）
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
50V
- 最大电流允许值：
0.1A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
MMUN2211
- 最大耗散功率：
0.4W
- 放大倍数：
β>35
- 图片代号：
H-15
- vtest：
50
- htest：
999900
- atest：
.1
- wtest：
.4
