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onsemi(安森美)SC-59

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MUN2116T1G

ON-安森美SC-59-3

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MUN2116T1G

ON/安森美

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23+

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onsemi(安森美)SC-59

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千层芯半导体(深圳)有限公司

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MUN2116T1

ONSC-59

6000

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进口原装正品假一赔十,货期7-10天

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MUN2116T1

ON/安森美SOT-23

20000

22+

只做原装

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MUN2116T1

POWERTSOT23-6L

5000

23+

原装正品,假一罚十

深圳市一线半导体有限公司

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MUN2116T1G

LRCSC-76SOD-323

30000

24+

深圳诚思涵科技有限公司

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MUN2116T1

ON(安森美)标准封装

5000

23+

原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品

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MUN2116T1G

1983

三年内

只做原装正品

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MUN2116T1

ON/安森美NA

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明嘉莱只做原装正品现货

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MUN2116T1

ON(安森美)标准封装

8800

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MUN2116T1

ON(安森美)N/A

18000

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原装正品现货支持实单

深圳市科达星科技有限公司

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MUN2116T1

ONSOT-23

96000

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原装公司大量现货,欢迎来电

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MUN2116T1

ONSEMI/安森美

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MUN2116T1G功能描述:TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 系列:- 标准包装:10,000 系列:- 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)（最大）:100mA 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:50V 电阻器 - 基极(R1)（欧）:47k 电阻器 - 发射极(R2)（欧）:47k 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大）:- 频率 - 转换:100MHz 功率 - 最大:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商设备封装:PG-SOT323-3 包装:带卷(TR) 其它名称:SP000756242

晶体管资料

  • 型号：

    MUN2116

  • 别名：

    三极管、晶体管、晶体三极管

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  • 制作材料：

    Si-P+R

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    表面帖装型 （SMD）

  • 封装形式：

    贴片封装

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