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MRF5174 | NPN RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The MRF5174 is a Common Emitter Device Designed for Class A, AB and C Amplifier Applications in the 225 to 400 MHz Band. FEATURES INCLUDE: • High Gain • Gold Metallization • Emitter Ballasting 文件：13.77 Kbytes 页数：1 Pages | ASI | ASI | |
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Zener Diode, 10 Watt 짹5 Tolerance Features: ● Zener Voltage 3.9V to 200V ● DO4 Stud Mount Package 文件：30 Kbytes 页数：4 Pages | NTE | NTE | ||
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PFC Controller with Integrated 750 V PowiGaN Optimized for High PF and Efficiency Across Load Range Product Highlights • Highly integrated, compact footprint • Up to 240 W peak output power for universal applications without heat sink • Integrated 750 V PowiGaN™ with lossless current sensing • Maintains high power factor up to 305 VAC and can operate continuously at up to 460 VAC during li 文件：1.94186 Mbytes 页数：25 Pages | POWERINTPower Integrations, Inc. 荷兰帕沃英蒂格盛有限公司 | POWERINT |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
超高频/特高频 （UHF）_TR
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
60V
- 最大电流允许值：
0.5A
- 最大工作频率：
400MHZ
- 引脚数：
4
- 可代换的型号：
BLW42,BLW92,BLX92,
- 最大耗散功率：
2W
- 放大倍数：
- 图片代号：
G-127
- vtest：
60
- htest：
400000000
- atest：
0.5
- wtest：
2
详细参数
- 型号：
MRF5174
- 功能描述：
射频双极电源晶体管 RF Transistor
- RoHS：
否
- 制造商：
M/A-COM Technology Solutions
- 配置：
Single 直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
40
- 最大工作频率：
30 MHz 集电极—发射极最大电压
- VCEO：
25 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
4 V
- 集电极连续电流：
20 A
- 功率耗散：
250 W
- 封装/箱体：
Case 211-11
- 封装：
Tray
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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