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深圳市科恒伟业电子有限公司

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深圳市威雅利发展有限公司

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千层芯半导体(深圳)有限公司

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深圳市凯睿晟科技有限公司

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深圳市华斯顿科技有限公司

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深圳市胜彬电子有限公司

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MUN5115DW1T1

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MUN5115DW1T1G价格

MUN5115DW1T1G价格：￥0.1629品牌：ON

生产厂家品牌为ON的MUN5115DW1T1G多少钱，想知道MUN5115DW1T1G价格是多少？参考价：￥0.1629。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，MUN5115DW1T1G批发价格及采购报价，MUN5115DW1T1G销售排行榜及行情走势，MUN5115DW1T1G报价。

MUN5115DW1T1中文资料Alldatasheet PDF

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MUN5115制造商:WEITRON 制造商全称:Weitron Technology 功能描述:Bias Resistor Transistor PNP Silicon

MUN5115DW制造商:WEITRON 制造商全称:Weitron Technology 功能描述:Dual Bias Resistor Transistor PNP Silicon

MUN5115DW1T1功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT Dual RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel

MUN5115DW1T1G功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT Dual PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel

MUN5115T1功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel

MUN5115T1G功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel

晶体管资料

  • 型号：

    MUN5115

  • 别名：

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家：

  • 制作材料：

    Si-P+R

  • 性质：

    表面帖装型 （SMD）

  • 封装形式：

    贴片封装

  • 极限工作电压：

    50V

  • 最大电流允许值：

    0.1A

  • 最大工作频率：

    <1MHZ或未知

  • 引脚数：

    3

  • 可代换的型号：

  • 最大耗散功率：

    0.4W

  • 放大倍数：

    β>160

  • 图片代号：

    H-15

  • vtest：

    50

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.1

  • wtest：

    0.4

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