MRF555分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MRF555 |
| 参数属性 | MRF555 封装/外壳为超大功率；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 16V POWER MACRO |
| 功能描述 | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
| 封装外壳 | 超大功率 |
| 文件大小 |
171.23 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | MICROSEMI |
| 中文名称 | 美高森美 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-2 20:00:00 |
| 人工找货 | MRF555价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MRF555规格书详情
MRF555属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由美高森美半导体公司制造生产的MRF555晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
DESCRIPTION: Designed primarily for wideband large signal stages in the UHF frequency range.
特性 Features
• Specified @ 12.5 V, 470 MHz Characteristics
• Output Power = 1.5 W
• Minimum Gain = 11 dB
• Efficiency 60 (Typ)
• Cost Effective PowerMacro Package
• Electroless Tin Plated Leads for Improved Solderability
产品属性
更多- 产品编号：
MRF555
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
16V
- 增益：
11dB ~ 13dB
- 功率 - 最大值：
3W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 250mA，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
500mA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
超大功率
- 供应商器件封装：
超大功率
- 描述：
RF TRANS NPN 16V POWER MACRO
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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