MRF555分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
MRF555规格书详情
The RF Line
NPN Silicon RF Low Power Transistor
Designed primarily for wideband large signal predriver stages in the UHF frequency range.
• Specified @ 12.5 V, 470 MHz Characteristics @ Pout = 1.5 W
Common Emitter Power Gain = 12.5 dB (Typ)
Efficiency 60 (Typ)
• Cost Effective PowerMacro Package
• Electroless Tin Plated Leads for Improved Solderability
• Circuit board photomaster available upon request by contacting RF Tactical Marketing in Phoenix, AZ.
产品属性
- 产品编号：
MRF555
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
16V
- 增益：
11dB ~ 13dB
- 功率 - 最大值：
3W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 250mA，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
500mA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
超大功率
- 供应商器件封装：
超大功率
- 描述：
RF TRANS NPN 16V POWER MACRO
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOT |
23+ |
NA |
20000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
MOTOROLA原装 |
2026+ |
SMD4 |
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询价 | ||
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SMD4 |
880000 |
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询价 | ||
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15+ |
十字架高频管 |
3 |
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询价 | ||
OTHER |
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NA |
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MOT |
23+ |
高频管 |
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询价 | |||
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20000 |
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TO-59 |
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询价 |
