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深圳市永贝尔科技有限公司

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Microsemi(美高森美)N/A

4550

2023+

全新原装正品

深圳市惊羽科技有限公司

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MICROSEMI-美高森美SOP-8.贴片

18800

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1000
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库

贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司

5年 留言
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    陈先生/周小姐

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MICROSESOP-8

12000

22+

一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

2年 留言
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    李先生/许小姐

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Microsemi Corporation8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

9350

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独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证

深圳市汇莱威科技有限公司

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MICROSEM

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16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量

深圳市惊羽科技有限公司

4年 留言
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ADVANCED车规-元器件

6328

24+25+/26+27+

1
+:¥45
1000
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库

深圳市振芯物联科技有限公司

5年 留言
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    188-2384-5059【只做原装●一诺千金】

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    张先生(公司为一般纳税人,可开13%增票)

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MICROSEMSOP-8

6000

23+

只做原装

深圳市威雅利发展有限公司

5年 留言
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    陈经理

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MICROSEMSOP8

2377

12+

一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

深圳市博浩通科技有限公司

14年 留言
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MicrosemiRF-FET

7750

23+

全新原装优势

深圳市豪迈兴电子有限公司

12年 留言
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    李小姐/李先生/陈先生/豪迈兴只有原装!假一罚百!

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    深圳市福田区中航路新亚洲二期N1B166,深圳市福田区华强北振兴路华匀大厦1栋315室

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MOTSOP8

5632

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公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!

深圳市麒裕半导体科技有限公司

1年 留言
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MICROSEMSOP-8

868800

23+

只做原装正品,欢迎来电咨询!

深圳市德创芯微科技有限公司

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MICROSEMSOP8

2377

12+

全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微

中科航电(深圳)电子集团有限公司

10年 留言
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    林翔 ▊▊▊▊专注于军工级、工业级,品质绝不虚假,

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MICROSEMSOP-8

98900

原厂集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-

深圳市汇莱威科技有限公司

11年 留言
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MICROSEMISOP8

562000

2320+

16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品

深圳诚思涵科技有限公司

3年 留言
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MICROSEMSOP-8

96880

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只做原装,欢迎来电资询

深圳市安富世纪电子有限公司

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    小庄

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MICROSEMSOP8

50000

21+

全新原装正品现货,支持订货

深圳市百视威讯电子科技有限公司

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N/A

85800

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正品授权货源可靠

深圳市弘为电子有限公司

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MICRONA

30000

22+

原装现货假一罚十

贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司

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    陈先生/周小姐

  • 地址:

    深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1016号宝华大厦A座、B座A座16层1611室/亚太地区XILINX、ALTERA、LATTICE、AD、TI、ST、infineon、NXP、Microchip一级代理商

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MICROSEMSOP-8

10000

原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种

东莞市万芯半导体有限公司

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    18566128499

  • 手机:

    18566128499

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    朱先生

  • 地址:

    广东省莞市塘厦镇塘厦宏业北路181号1栋126室

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MICROSEMSOP-8

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MRF5812G制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MRF5812G - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT

MRF5812GR1功能描述:TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管(BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数(dB典型值@频率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):160 @ 25mA,3V 电流 - 集电极(Ic)(最大):45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD,扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR

MRF5812GR2功能描述:TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管(BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数(dB典型值@频率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):160 @ 25mA,3V 电流 - 集电极(Ic)(最大):45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD,扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR

产品属性

  • 产品编号:

    MRF5812G

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    15V

  • 频率 - 跃迁:

    5GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    2dB ~ 3dB @ 500MHz

  • 增益:

    13dB ~ 15.5dB

  • 功率 - 最大值:

    1.25W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 50mA,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    200mA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SO

  • 描述:

    RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO