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MRF5812GR2	文件：300 bytes Page：1 Pages	RF/Microwave Si BJT Power Devices & Pallets;	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
MRF5812GR2	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MRF5812R1超小型管	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON/安森美 SOP	ON/安森美相关企业：上海世强芯半导体有限公司	ON/安森美
MRF5S9101NR1	文件：0 bytes Page：0 Pages	FREESCALE TO-270	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体相关企业：深圳庞田科技有限公司	freescale
MRF6S24140HR3	文件：0 bytes Page：0 Pages	Freescale 高频管	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体相关企业：深圳市翔睿腾科技有限公司	freescale

产品属性

产品编号：
MRF5812GR2
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
15V
频率 - 跃迁：
5GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
2dB ~ 3dB @ 500MHz
增益：
13dB ~ 15.5dB
功率 - 最大值：
1.25W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 50mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
200mA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SO
描述：
RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO

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