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MRF5812R2

RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

DESCRIPTION: Designed for high current, low power, low noise, amplifiers up to 1.0 GHz. Features • Low Noise - 2.5 dB @ 500 MHZ • Associated Gain = 15.5 dB @ 500 MHz • Ftau - 5.0 GHz @ 10v, 75mA • Cost Effective SO-8 package

文件:173.04 Kbytes 页数:5 Pages

Microsemi

美高森美

MRF5812R2

RF/Microwave Si BJT Power Devices & Pallets

Microchip

微芯科技

MRF5S9101NR1

TO-270

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳庞田科技有限公司

MRF6S24140HR3

高频管

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳市翔睿腾科技有限公司

MRF6S9125N

SMD

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳市向鸿伟业电子有限公司

详细参数

  • 型号:

    MRF5812R2

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 功能描述:

    MRF5812R2 - Bulk

  • 功能描述:

    RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT

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更多MRF5812R2供应商 更新时间2025-12-22 12:08:00