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MRF5S19060NBR1

RF Power Field Effect Transistors

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs Designedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationswithfrequenciesfrom1930to1990MHz.Thehighgainandbroadbandperformanceofthesedevicesmakethemidealforlarge-signal,commonsourceamplifierap

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飞思卡尔

MRF5S19060NBR1

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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飞思卡尔

MRF5S19060NBR1

包装:托盘 封装/外壳:TO-272BB 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:FET RF 65V 1.99GHZ TO-272-4

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

产品属性

  • 产品编号:

    MRF5S19060NBR1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    1.99GHz

  • 增益:

    14dB

  • 功率 - 输出:

    12W

  • 封装/外壳:

    TO-272BB

  • 供应商器件封装:

    TO-272 WB-4

  • 描述:

    FET RF 65V 1.99GHZ TO-272-4

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FREESCALE
2019+
SMD
6992
原厂渠道 可含税出货
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23+
1688
房间现货库存:QQ:373621633
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16+
330
原装正品 专营军工
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07+/08+
TO-272
7500
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16+
TO-272
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原装现货假一罚十
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2020+
TO272-4
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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更多MRF5S19060NBR1供应商 更新时间2024-6-5 16:04:00