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MRF5S9101NR1

RF Power Field Effect Transistors

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 869 to 960 MHz. Suitable for multicarrier amplifier applications. GSM Application • Typical GSM Performance: VDD = 26 Volts, IDQ = 700 mA,

文件:541.64 Kbytes 页数:20 Pages

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF5S9101NR1

TO-270

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳庞田科技有限公司

MRF6S24140HR3

高频管

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳市翔睿腾科技有限公司

MRF6S9125N

SMD

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳市向鸿伟业电子有限公司

MRF6V12250H

高频

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳市华来深电子有限公司

详细参数

  • 型号:

    MRF5S9101NR1

  • 功能描述:

    射频MOSFET电源晶体管 100W 900MHZ26V

  • RoHS:

  • 制造商:

    Freescale Semiconductor

  • 配置:

    Single

  • 频率:

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益:

    27 dB

  • 输出功率:

    100 W

  • 封装/箱体:

    NI-780-4

  • 封装:

    Tray

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FREESCALE
2019+
SMD
6992
原厂渠道 可含税出货
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FREESCALE/飞思卡尔
2023+
TO-270
2000
专注军工、汽车、医疗、工业等方案配套一站式服务
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1688
房间现货库存:QQ:373621633
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更多MRF5S9101NR1供应商 更新时间2026-2-8 16:04:00