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MRF652	文件：111.83 Kbytes Page：4 Pages	RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON The RF Line NPN SILICON RF POWER TRANSISTORS Designedfor 12.5 Vdc UHFlarge–signal, amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operating to 512 MHz. • Guaranteed 12.5 Volt, 512 MHz Characteristics Output Power = 5.0 Watts Minimum Gain = 10 dB Efficiency = 65 ( 文件：111.83 Kbytes 页数：4 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MRF652	文件：81.42 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon RF Power Transistors NPN Silicon RF Power Transistors 文件：81.42 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
MRF652	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 16V 2A 3-Pin NI-200Z	NJS 新泽西半导体	NJS
MRF6522-70R3	文件：510.8 Kbytes Page：8 Pages	The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET Designed for GSM 900 frequency band, the high gain and broadband performance of this device make it ideal for large--signal, common source amplifier applications in 26 volt base station equipment. • Speci 文件：510.8 Kbytes 页数：8 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
MRF652S	文件：17.08 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI MRF652S is Designed for UHF large signal, amplifier Applications in FM equipment up to 512 MHz. FEATURES: • Common Emitter • PG = 10 dB at 5.0 W/512 MHz • Omnigold™ Metalization System 文件：17.08 Kbytes 页数：1 Pages	ASI	ASI
MRF652S	文件：81.42 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon RF Power Transistors NPN Silicon RF Power Transistors 文件：81.42 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
MRF652S	文件：111.83 Kbytes Page：4 Pages	RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON The RF Line NPN SILICON RF POWER TRANSISTORS Designedfor 12.5 Vdc UHFlarge–signal, amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operating to 512 MHz. • Guaranteed 12.5 Volt, 512 MHz Characteristics Output Power = 5.0 Watts Minimum Gain = 10 dB Efficiency = 65 ( 文件：111.83 Kbytes 页数：4 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MRF6522-70	文件：510.8 Kbytes Page：8 Pages	RF Power Field Effect Transistor 文件：510.8 Kbytes 页数：8 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MRF6522-70	文件：332.8 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field Effect Transistor 文件：332.8 Kbytes 页数：12 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
MRF6522-70R3	文件：332.8 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field Effect Transistor 文件：332.8 Kbytes 页数：12 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE

技术参数

Output Power：
5W
Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-65°C
Minimum DC Current Gain：
10@200mA@5V
Maximum Transition Frequency：
512MHz
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Emitter Base Voltage：
4V
Maximum DC Collector Current：
2A
Maximum Collector Emitter Voltage：
16V
Maximum Collector Base Voltage：
36V
Material：
Si
Configuration：
Single Dual Emitter

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