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MRF6522-70R3规格书详情
RF Power Field Effect Transistor
N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET
Designed for GSM 900 frequency band, the high gain and broadband performance of this device make it ideal for large--signal, common source amplifier applications in 26 volt base station equipment.
• Specified Performance @ 940 MHz, 26 Volts
Output Power, P1dB — 80 Watts (Typ)
Power Gain @ P1dB — 16 dB (Typ)
Efficiency @ P1dB — 58 (Typ)
• Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 26 Vdc, 945 MHz, 50 Watts CW Output Power
• RoHS Compliant
• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm, 13 inch Reel.
产品属性
- 型号：
MRF6522-70R3
- 制造商：
FREESCALE
- 制造商全称：
Freescale Semiconductor, Inc
- 功能描述：
The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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