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厂商型号

MRF652S

功能描述

RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON

文件大小

111.83 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

MOTOROLA

中文名称

摩托罗拉

网址

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数据手册

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更新时间

2026-2-3 18:18:00

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MRF652S规格书详情

The RF Line

NPN SILICON RF POWER TRANSISTORS

Designedfor 12.5 Vdc UHFlarge–signal, amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operating to 512 MHz.

• Guaranteed 12.5 Volt, 512 MHz Characteristics

Output Power = 5.0 Watts

Minimum Gain = 10 dB

Efficiency = 65 (Typ)

• Typical Performance at 512 MHz, 12.5 V, 5.0 W Output = 6.0 dB

• Series Equivalent Large–Signal Characterization

• Gold Metallized, Emitter Ballasted for Long Life and Reliability

• Capable of 30:1 VSWR Load Mismatch at 15.5 V Supply Voltage

• Circuit board photomaster available upon request by contacting

RF Tactical Marketing in Phoenix, AZ.

产品属性

  • 型号:

    MRF652S

  • 功能描述:

    射频双极电源晶体管 RF Transistor

  • RoHS:

  • 制造商:

    M/A-COM Technology Solutions

  • 配置:

    Single 直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    40

  • 最大工作频率:

    30 MHz 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    25 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    4 V

  • 集电极连续电流:

    20 A

  • 功率耗散:

    250 W

  • 封装/箱体:

    Case 211-11

  • 封装:

    Tray

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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