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MRF6P24190HR6

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

2450MHz,190W,28VCWLATERALN-CHANNELRFPOWERMOSFET Designedprimarilyforlarge-signaloutputapplicationsat2450MHz.Deviceissuitableforuseinindustrial,medicalandscientificapplications. •TypicalCWPerformanceat2450MHz,VDD=28Volts,IDQ=1900mA,Pout=190Watts

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飞思卡尔

MRF6P24190HR6

RF Power Field Effect Transistor

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飞思卡尔

MRF6P24190HR6

包装:卷带(TR) 封装/外壳:NI-1230 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:FET RF 68V 2.39GHZ NI-1230

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

MRF6P24190HR6_08

RF Power Field Effect Transistor

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飞思卡尔

产品属性

  • 产品编号:

    MRF6P24190HR6

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    2.39GHz

  • 增益:

    14dB

  • 功率 - 输出:

    40W

  • 封装/外壳:

    NI-1230

  • 供应商器件封装:

    NI-1230

  • 描述:

    FET RF 68V 2.39GHZ NI-1230

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更多MRF6P24190HR6供应商 更新时间2024-5-1 10:30:00