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MRF6S18100NR1

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforGSMandGSMEDGEbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1800to2000MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications. GSMApplication •TypicalGSMPerformance:VDD=28Volt

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飞思卡尔

MRF6S18100NR1

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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飞思卡尔

MRF6S18100NR1

包装:卷带(TR) 封装/外壳:TO-270AB 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:FET RF 68V 1.99GHZ TO2704

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

MRF6S18100NR1_08

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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飞思卡尔

产品属性

  • 产品编号:

    MRF6S18100NR1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    1.99GHz

  • 增益:

    14.5dB

  • 功率 - 输出:

    100W

  • 封装/外壳:

    TO-270AB

  • 供应商器件封装:

    TO-270 WB-4

  • 描述:

    FET RF 68V 1.99GHZ TO2704

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多MRF6S18100NR1供应商 更新时间2024-5-1 8:00:00