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MRF6S19200HR3	文件：409.39 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field Effect Transistors	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
MRF6S19200HR3	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：SOT-957A 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 66V 1.99GHZ NI780	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

产品属性

产品编号：
MRF6S19200HR3
制造商：
NXP USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
LDMOS
频率：
1.93GHz ~ 1.99GHz
增益：
17.9dB
功率 - 输出：
56W
封装/外壳：
SOT-957A
供应商器件封装：
NI-780H-2L
描述：
FET RF 66V 1.99GHZ NI780

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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