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MRF6S21060NBR1

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

文件:803.08 Kbytes 页数:18 Pages

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF6S21060NBR1

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

文件:876.2 Kbytes 页数:20 Pages

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF6S24140HR3

高频管

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳市翔睿腾科技有限公司

MRF6S9125N

SMD

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳市向鸿伟业电子有限公司

MRF6V12250H

高频

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳市华来深电子有限公司

详细参数

  • 型号:

    MRF6S21060NBR1

  • 功能描述:

    射频MOSFET电源晶体管 2170MHZ 14W

  • RoHS:

  • 制造商:

    Freescale Semiconductor

  • 配置:

    Single

  • 频率:

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益:

    27 dB

  • 输出功率:

    100 W

  • 封装/箱体:

    NI-780-4

  • 封装:

    Tray

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FREESCALE
2019+
TO-272
6992
原厂渠道 可含税出货
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23+
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1500
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更多MRF6S21060NBR1供应商 更新时间2025-12-24 9:42:00