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MRF6S9130HR3

RF Power Field Effect Transistors

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FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF6S9130HR3

RF Power Field Effect Transistors

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF6S9130HR3_08

RF Power Field Effect Transistors

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRFE6S9130HR3

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRFE6S9130HR3

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Designed for N-CDMA, GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 865 to 960 MHz. Suitable for multicarrier amplifier applications. • Typical Single-Carrier N-CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 950 mA, Pout = 27 Watts Avg., f = 880 MHz, IS-95 CDMA (Pilot, Sync, Paging, Tr

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详细参数

  • 型号:

    MRF6S9130HR3

  • 功能描述:

    MOSFET RF N-CHAN 28V 27W NI-780

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列:

    -

  • 产品目录绘图:

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装:

    3,000

  • 晶体管类型:

    N 通道 JFET

  • 频率:

    -

  • 增益:

    - 电压 -

  • 测试:

    -

  • 额定电流:

    30mA

  • 噪音数据:

    - 电流 -

  • 测试:

    - 功率 -

  • 输出:

    - 电压 -

  • 额定:

    25V

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装:

    带卷(TR)

  • 产品目录页面:

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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2019+
SMD
6992
原厂渠道 可含税出货
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1688
房间现货库存:QQ:373621633
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NI-780
750
原装现货假一罚十
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高频管
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NI780
9000
原厂渠道,现货配单
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NI-780H-2L
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更多MRF6S9130HR3供应商 更新时间2026-2-3 16:04:00