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MRF6V2300NBR5

RF Power Field Effect Transistors

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedprimarilyforCWlarge-signaloutputanddriverapplicationswithfrequenciesupto600MHz.Devicesareunmatchedandaresuitableforuseinindustrial,medicalandscientificapplications.

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飞思卡尔

freescale

MRF6V2300NBR5

包装:托盘 封装/外壳:TO-272BB 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:FET RF 110V 220MHZ TO-272-4

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp

产品属性

  • 产品编号:

    MRF6V2300NBR5

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    220MHz

  • 增益:

    25.5dB

  • 功率 - 输出:

    300W

  • 封装/外壳:

    TO-272BB

  • 供应商器件封装:

    TO-272 WB-4

  • 描述:

    FET RF 110V 220MHZ TO-272-4

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更多MRF6V2300NBR5供应商 更新时间2024-4-25 17:17:00