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MRF6V10010NR4 | RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET 1090 MHz, 10 W, 50 V PULSED LATERAL N--CHANNEL RF POWER MOSFET RF Power transistor designed for applications operating at frequencies between 960 and 1400 MHz, 1 to 20 duty cycle. This device is suitable for use in pulsed applications. • Typical Pulsed Performance: VDD = 50 Volts, IDQ = 10 mA, P 文件：647.91 Kbytes 页数：10 Pages | FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | FREESCALE | |
MRF6V10010NR4 | RF Power Field Effect Transistor 文件：684.02 Kbytes 页数：10 Pages | 恩XP | 恩XP | |
高频 | FREESCALE | |||
高频管 | FREESCALE | |||
高频管 | FREESCALE |
详细参数
- 型号：
MRF6V10010NR4
- 功能描述：
射频MOSFET电源晶体管 VHV6 10W PULSE PLD1.5
- RoHS：
否
- 制造商：
Freescale Semiconductor
- 配置：
Single
- 频率：
1800 MHz to 2000 MHz
- 增益：
27 dB
- 输出功率：
100 W
- 封装/箱体：
NI-780-4
- 封装：
Tray
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild |
24+ |
7500 |
询价 | ||||
FREESCALE |
24+ |
SMD |
1680 |
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Freescale |
1930+ |
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FREESCALE |
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恩XP |
25+ |
PLD-1.5 |
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FREESCALE |
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NA |
50000 |
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恩XP |
2021+ |
PLD-1.5 |
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恩XP |
26+ |
PLD-1.5 |
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恩XP |
24+ |
PLD-1.5 |
6000 |
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