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MRF6VP2600HR6 | RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET 2--500MHz,600W,50VLATERALN--CHANNELBROADBANDRFPOWERMOSFET Designedprimarilyforwidebandapplicationswithfrequenciesupto500MHz.Deviceisunmatchedandissuitableforuseinbroadcastapplications. •TypicalDVB--TOFDMPerformance:VDD=50Volts,IDQ=2600mA,Pout=125Wa | freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔 |  | |
MRF6VP2600HR6 | RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET 2--500MHz,600W,50VLATERALN--CHANNELBROADBANDRFPOWERMOSFET Designedprimarilyforwidebandapplicationswithfrequenciesupto500MHz.Deviceisunmatchedandissuitableforuseinbroadcastapplications. •TypicalDVB--TOFDMPerformance:VDD=50Volts,IDQ=2600mA,Pout=125Wa | freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔 | | |
MRF6VP2600HR6 | RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET | freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔 | | |
MRF6VP2600HR6 | 包装：托盘 封装/外壳：NI-1230 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 描述：FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230 | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司 |  | |
RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET | freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔 | |
产品属性
- 产品编号：
MRF6VP2600HR6
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
LDMOS（双）
- 频率：
225MHz
- 增益：
25dB
- 功率 - 输出：
125W
- 封装/外壳：
NI-1230
- 供应商器件封装：
NI-1230
- 描述：
FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Freescale(飞思卡尔) |
23+ |
标准封装 |
31663 |
我们只是原厂的搬运工 |
询价 | ||
FREESCALE |
2019+ |
SMD |
6992 |
原厂渠道 可含税出货 |
询价 | ||
FREESCALE |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
询价 | ||
NXP |
23+ |
30000 |
一级代理现货、保证进口原装正品假一罚十价格合理 |
询价 | |||
NXP/恩智浦 |
23+ |
TO-59 |
188 |
价格优势 |
询价 | ||
FREESCALE |
23+ |
NI-1230 |
1200 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
FREESCALE |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
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Freescale |
1930+ |
N/A |
56 |
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NXP |
1809+ |
NI-1230 |
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FREESCALE |
19+20+ |
TSOP |
8898 |
全新原装房间现货 可长期供货 |
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