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MRF904	文件：85.29 Kbytes Page：4 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: DesignedprimarilyforuseINHighGain,lownoisegeneralpurposeamplifiers. Features •SiliconNPN,highFrequency,To-72packaged,Transistor •HighPowerGain-GU(max)=11dB(typ)@f=450MHz 7dB(typ)@f=1GHz •Low	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
MRF904	文件：38.86 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF TRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIMRF904isDesignedforGeneralPurposeAmplifierApplications. FEATURES: •NF=1.5dB(Typ)450MHz •Gmax=16dB(Typ)450MHz •fT=4.0GHz(Typ)@IC=15mA	ASI Advanced Semiconductor, Inc
MRF904	文件：115.24 Kbytes Page：4 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: DesignedprimarilyforuseinHighGain,lownoisegeneral-purposeamplifiers. Features •SiliconNPN,highFrequency,To-72packaged,Transistor •HighPowerGain-GU(max):11dB(typ)@f=450MHz 7dB(typ)@f=1GHz •Lo	ADPOW Advanced Power Technology
MRF904	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-206AF，TO-72-4 金属罐类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 15V 4GHZ TO72	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
MRF9045	文件：648.59 Kbytes Page：12 Pages	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS TheRFSub–MicronMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeLateralMOSFET Designedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationsatfrequenciesupto1.0GHz.Thehighgainandbroadbandperformanceofthisdevicemakeitidealforlarge–signal,common–sour	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MRF9045LR1	文件：227.43 Kbytes Page：8 Pages	RF Power Field Effect Transistors RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs Designedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationswithfrequenciesupto1000MHz.Thehighgainandbroadbandperformanceofthesedevicesmakethemidealforlarge-signal,common-sourceamplifierapplicati	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔
MRF9045LSR1	文件：227.43 Kbytes Page：8 Pages	RF Power Field Effect Transistors RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs Designedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationswithfrequenciesupto1000MHz.Thehighgainandbroadbandperformanceofthesedevicesmakethemidealforlarge-signal,common-sourceamplifierapplicati	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔
MRF9045M	文件：144.82 Kbytes Page：8 Pages	The RF Sub-Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET TheRFSub–MicronMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeLateralMOSFET Designedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationsatfrequenciesupto1.0GHz.Thehighgainandbroadbandperformanceofthisdevicemakeitidealforlarge–signal,common–sour	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MRF9045MBR1	文件：648.59 Kbytes Page：12 Pages	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS TheRFSub–MicronMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeLateralMOSFET Designedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationsatfrequenciesupto1.0GHz.Thehighgainandbroadbandperformanceofthisdevicemakeitidealforlarge–signal,common–sour	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MRF9045MR1	文件：648.59 Kbytes Page：12 Pages	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS TheRFSub–MicronMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeLateralMOSFET Designedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationsatfrequenciesupto1.0GHz.Thehighgainandbroadbandperformanceofthisdevicemakeitidealforlarge–signal,common–sour	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MRF9045MR1	文件：144.82 Kbytes Page：8 Pages	The RF Sub-Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET TheRFSub–MicronMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeLateralMOSFET Designedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationsatfrequenciesupto1.0GHz.Thehighgainandbroadbandperformanceofthisdevicemakeitidealforlarge–signal,common–sour	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MRF9045NR1	文件：475.58 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET RFPowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFET Designedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationswithfrequenciesupto1000MHz.Thehighgainandbroadbandperformanceofthisdevicemakeitidealforlarge-signal,common-sourceamplifierapplicationsin	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔
MRF9045LR1	文件：397.63 Kbytes Page：11 Pages	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔
MRF9045LR1_08	文件：397.63 Kbytes Page：11 Pages	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔
MRF9045LSR1	文件：397.63 Kbytes Page：11 Pages	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔
MRF9045LR1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：NI-360 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 65V 945MHZ NI-360	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
MRF9045LR1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：NI-360 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 65V 945MHZ NI-360	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
904	文件：169.61 Kbytes Page：3 Pages	M12?륚DieCastPassiveI/OBox	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线
904	文件：202.86 Kbytes Page：1 Pages	NYLONTUBESPACERS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
904	文件：202.86 Kbytes Page：1 Pages	NYLONTUBESPACERS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商

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产品属性

产品编号：
MRF904
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
15V
频率 - 跃迁：
4GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.5dB @ 450MHz
增益：
6.5dB ~ 10.5dB
功率 - 最大值：
200mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 5mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
30mA
工作温度：
200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-206AF，TO-72-4 金属罐
供应商器件封装：
TO-72
描述：
RF TRANS NPN 15V 4GHZ TO72

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