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MRF9045LR1	文件：227.43 Kbytes Page：8 Pages	RF Power Field Effect Transistors RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies up to 1000 MHz. The high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large-signal, common-source amplifier applicati 文件：227.43 Kbytes 页数：8 Pages	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
MRF9045LR1	文件：397.63 Kbytes Page：11 Pages	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs 文件：397.63 Kbytes 页数：11 Pages	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
MRF9045LR1_08	文件：397.63 Kbytes Page：11 Pages	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs 文件：397.63 Kbytes 页数：11 Pages	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
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