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MRF9080R3

RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

The RF Sub–Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs Designed for GSM 900 MHz frequency band, the high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large–signal, common– source amplifier applications in 26 volt base st

文件:439.15 Kbytes 页数:12 Pages

Motorola

摩托罗拉

MRF9080R3

TO-272

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳庞田科技有限公司

MRF9511

SOT143

ON

MRFE6S9060NR1

TO270-2

FREESCAL

MRFE6S9125NBR1

TO-252

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳市赛尔通科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    MRF9080R3

  • 制造商:

    MOTOROLA

  • 制造商全称:

    Motorola, Inc

  • 功能描述:

    RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

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更多MRF9080R3供应商 更新时间2025-11-30 17:02:00