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MRFE6S9125NBR1

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs Designedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationswithfrequenciesupto1000MHz.Thehighgainandbroadbandperformanceofthesedevicesmakethemidealforlarge-signal,common-sourceamplifierapplicati

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飞思卡尔

MRFE6S9125NBR1

包装:卷带(TR) 封装/外壳:TO-272BB 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:FET RF 66V 880MHZ TO-272-4

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

MRF6S9125NBR1

RFPowerFieldEffectTransistors

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飞思卡尔

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产品属性

  • 产品编号:

    MRFE6S9125NBR1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    880MHz

  • 增益:

    20.2dB

  • 功率 - 输出:

    27W

  • 封装/外壳:

    TO-272BB

  • 供应商器件封装:

    TO-272 WB-4

  • 描述:

    FET RF 66V 880MHZ TO-272-4

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更多MRFE6S9125NBR1供应商 更新时间2024-4-29 9:12:00