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MRFE6VP61K25HSR6	文件：932.68 Kbytes Page：13 Pages	RF Power Field Effect Transistors High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs These high ruggedness devices are designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital), aerospace and radio/land mobile applications. They are unmatc 文件：932.68 Kbytes 页数：13 Pages	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
MRFE6VP61K25HSR6	文件：933.63 Kbytes Page：13 Pages	RF Power Field Effect Transistors Enhancement--Mode Lateral MOSFETs 文件：933.63 Kbytes 页数：13 Pages	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
MRFE6VP61K25HSR6	文件：1.17397 Mbytes Page：21 Pages	RF Power LDMOS Transistors 文件：1.17397 Mbytes 页数：21 Pages	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
MRFE6VS25L	文件：0 bytes Page：0 Pages	NXP SMD	恩XP 上传：深圳航星空电子技术有限公司	恩XP
MRSS32W	文件：0 bytes Page：0 Pages	NEC SOT	NEC 瑞萨上传：深圳市讯运电子有限公司	NEC

更多MRFE6VP61K25HSR6供应商更新时间2025-10-12 14:32:00