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MRFE6VP61K25HSR6

RF Power Field Effect Transistors High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode

RFPowerLDMOSTransistors HighRuggednessN--Channel Enhancement--ModeLateralMOSFETs ThesehighruggednessdevicesaredesignedforuseinhighVSWRindustrial(includinglaserandplasmaexciters),broadcast(analoganddigital),aerospaceandradio/landmobileapplications.Theyareunmatc

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MRFE6VP61K25HSR6

RF Power Field Effect Transistors Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

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MRFE6VP61K25HSR6

RF Power LDMOS Transistors

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MRFE6VP61K25HSR6

包装:管件 封装/外壳:NI-1230S 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

产品属性

  • 产品编号:

    MRFE6VP61K25HSR6

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    LDMOS(双)

  • 频率:

    230MHz

  • 增益:

    24dB

  • 功率 - 输出:

    1250W

  • 封装/外壳:

    NI-1230S

  • 供应商器件封装:

    NI-1230S

  • 描述:

    FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S

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更多MRFE6VP61K25HSR6供应商 更新时间2024-4-30 14:32:00