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MRFE6S9200HSR3

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

文件:399.14 Kbytes 页数:11 Pages

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRFE6VP5600H

高频管

Freescale/飞思卡尔

上传:深圳市翔睿腾科技有限公司

Freescale/飞思卡尔

MRFE6VP61K25H

高频管

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳市翔睿腾科技有限公司

MRFE6VS25L

SMD

恩XP

MRJR3360M1

AMPHENOL

安费诺

上传:深圳阅创想电子实业有限公司

详细参数

  • 型号:

    MRFE6S9200HSR3

  • 功能描述:

    射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880HS

  • RoHS:

  • 制造商:

    Freescale Semiconductor

  • 配置:

    Single

  • 频率:

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益:

    27 dB

  • 输出功率:

    100 W

  • 封装/箱体:

    NI-780-4

  • 封装:

    Tray

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多MRFE6S9200HSR3供应商 更新时间2026-2-4 16:04:00