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MRFG35005MT1	文件：125.02 Kbytes Page：12 Pages	Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor 3.5GHz,4.5W,12VPOWERFETGaAsPHEMT DesignedforWLL/MMDS/BWAorUMTSdriverapplicationswithfrequenciesfrom1.8to3.6GHz.DeviceisunmatchedandissuitableforuseinClassABlinearbasestationapplications. •TypicalW-CDMAPerformance:-42dBcACPR,3.55GHz,12Volts,IDQ=80	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
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Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

3.5GHz,4.5W,12VPOWERFETGaAsPHEMT DesignedforWLL/MMDS/BWAorUMTSdriverapplicationswithfrequenciesfrom1.8to3.6GHz.DeviceisunmatchedandissuitableforuseinClassABlinearbasestationapplications. •TypicalW-CDMAPerformance:-42dBcACPR,3.55GHz,12Volts,IDQ=80

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Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

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详细参数

型号：
MRFG35005MT1
功能描述：
MOSFET RF 3.5GHZ 4.5W 12V 1.5PLD
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> RF FET
系列：
-
产品目录绘图：
MOSFET SOT-23-3 Pkg
标准包装：
3,000
晶体管类型：
N 通道 JFET
频率：
-
增益：
- 电压 -
测试：
-
额定电流：
30mA
噪音数据：
- 电流 -
测试：
- 功率 -
输出：
- 电压 -
额定：
25V
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：
SOT-23-3（TO-236）
包装：
带卷(TR)
产品目录页面：
1558(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MRFG35005MT1供应商更新时间2025-7-26 10:31:00

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