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MRFG35005MT1中文资料PDF规格书

MRFG35005MT1
厂商型号

MRFG35005MT1

参数属性

MRFG35005MT1 封装/外壳为PLD-1.5;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:FET RF 15V 3.55GHZ 1.5PLD

功能描述

Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

文件大小

125.02 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 Freescaleiscreatingasmarter
企业简称

freescale飞思卡尔

中文名称

飞思卡尔官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-6-14 22:59:00

MRFG35005MT1规格书详情

3.5 GHz, 4.5 W, 12 V POWER FET GaAs PHEMT

Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications with frequencies from 1.8 to 3.6 GHz. Device is unmatched and is suitable for use in Class AB linear base station applications.

• Typical W-CDMA Performance: -42 dBc ACPR, 3.55 GHz, 12 Volts, IDQ = 80 mA, 5 MHz Offset/3.84 MHz BW, 64 DPCH (8.5 dB P/A

@ 0.01 Probability)

Output Power — 450 mWatt

Power Gain — 11 dB

Efficiency — 25

• 4.5 Watts P1dB @ 3.55 GHz

• Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics

• High Gain, High Efficiency and High Linearity

• N Suffix Indicates Lead-Free Terminations

• In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.

CASE 466-03, STYLE 1 PLD-1.5 PLASTIC

产品属性

  • 产品编号:

    MRFG35005MT1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    pHEMT FET

  • 频率:

    3.55GHz

  • 增益:

    11dB

  • 功率 - 输出:

    4.5W

  • 封装/外壳:

    PLD-1.5

  • 供应商器件封装:

    PLD-1.5

  • 描述:

    FET RF 15V 3.55GHZ 1.5PLD

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