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MRFG35002N6T1中文资料飞思卡尔数据手册PDF规格书

MRFG35002N6T1
厂商型号

MRFG35002N6T1

功能描述

Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

文件大小

212.89 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 Freescale Semiconductor, Inc
企业简称

FREESCALE飞思卡尔

中文名称

飞思卡尔半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-25 11:01:00

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MRFG35002N6T1规格书详情

3.5 GHz, 1.5 W, 6 V POWER FET GaAs PHEMT

Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications. Characterized from 500 to 5000 MHz. Device is unmatched and is suitable for use in Class AB Customer Premise Equipment (CPE) applications.

• Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 6 Volts, IDQ = 65 mA, Pout = 158.5 mWatts Avg., 3550 MHz, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, PAR = 8.5 dB @ 0.01 Probability on CCDF.

Power Gain — 10 dB

Drain Efficiency — 27

ACPR @ 5 MHz Offset — -41 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth

• 1.5 Watts P1dB @ 3550 MHz, CW

• Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics

• High Gain, High Efficiency and High Linearity

• RoHS Compliant.

• In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.

产品属性

  • 型号:

    MRFG35002N6T1

  • 功能描述:

    TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列:

    -

  • 产品目录绘图:

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装:

    3,000

  • 晶体管类型:

    N 通道 JFET

  • 频率:

    -

  • 增益:

    - 电压 -

  • 测试:

    -

  • 额定电流:

    30mA

  • 噪音数据:

    - 电流 -

  • 测试:

    - 功率 -

  • 输出:

    - 电压 -

  • 额定:

    25V

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装:

    带卷(TR)

  • 产品目录页面:

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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