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MRFE6VP6600GN分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
![MRFE6VP6600GN](https://oss.114ic.com/img3w/pdf141156.png)
厂商型号 |
MRFE6VP6600GN |
参数属性 | MRFE6VP6600GN 封装/外壳为OM-780G-4L;包装为带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:TRANS RF LDMOS 600W 50V |
功能描述 | RF Power LDMOS Transistors |
文件大小 |
1.22434 Mbytes |
页面数量 |
22 页 |
生产厂商 | NXP Semiconductors |
企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-14 15:03:00 |
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MRFE6VP6600GN属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。恩智浦半导体公司制造生产的MRFE6VP6600GN晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 产品编号:
MRFE6VP6600GNR3
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
带
- 晶体管类型:
LDMOS(双)
- 频率:
230MHz
- 增益:
24.7dB
- 功率 - 输出:
600W
- 封装/外壳:
OM-780G-4L
- 供应商器件封装:
OM-780G-4L
- 描述:
TRANS RF LDMOS 600W 50V
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP |
23+ |
OM-780-4L |
2503 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
NXP USA Inc. |
2022+ |
OM-780G-4L |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
NXP USA Inc. |
24+ |
OM-780-4L |
9350 |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
询价 | ||
FSL |
23+ |
原厂原包装 |
6000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
NXP |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
询价 | ||||
NXP/恩智浦 |
2022+ |
1000 |
只做原装,价格优惠,长期供货。 |
询价 | |||
FREESCALE |
2018+ |
SMD |
1680 |
FREESCALE专营品牌进口原装现货假一赔十 |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||||
NXP |
22+ |
OM780G4L |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
NXPUSAInc. |
2019+ |
OM780-4 |
65500 |
原装正品货到付款,价格优势! |
询价 |