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MRFG35005ANT1
厂商型号

MRFG35005ANT1

功能描述

Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

文件大小

452.31 Kbytes

页面数量

13

生产厂商 Freescale Semiconductor, Inc
企业简称

FREESCALE飞思卡尔

中文名称

飞思卡尔半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-3 10:31:00

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MRFG35005ANT1规格书详情

3.5 GHz, 4.5 W, 12 V POWER FET GaAs PHEMT

Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications with frequencies from 500 to 5000 MHz. Device is unmatched and is suitable for use in Class AB Customer Premise Equipment (CPE) applications.

• Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 12 Volts, IDQ = 80 mA, Pout = 450 mWatts Avg., 3550 MHz, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, PAR = 8.5 dB @ 0.01 Probability on CCDF.

Power Gain — 11 dB

Drain Efficiency — 26

ACPR @ 5 MHz Offset — -44 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth

• 4.5 Watts P1dB @ 3550 MHz, CW

Features

• Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics

• High Gain, High Efficiency and High Linearity

• RoHS Compliant

• In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.

产品属性

  • 型号:

    MRFG35005ANT1

  • 功能描述:

    射频GaAs晶体管 3.5GHZ 4.5W GAAS PLD1.5

  • RoHS:

  • 制造商:

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型:

    pHEMT

  • 频率:

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益:

    10 dB

  • 噪声系数:

    正向跨导

  • gFS(最大值/最小值):

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压:

    - 8 V

  • 漏极连续电流:

    3 A

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 功率耗散:

    10 W

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FREESCALE
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房间现货库存:QQ:373621633
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