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MRFG35003M6T1中文资料PDF规格书

MRFG35003M6T1
厂商型号

MRFG35003M6T1

参数属性

MRFG35003M6T1 封装/外壳为PLD-1.5;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:FET RF 8V 3.55GHZ 1.5-PLD

功能描述

GALLIUM ARSENIDE PHEMT

文件大小

337.89 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Motorola, Inc
企业简称

Motorola

中文名称

摩托罗拉官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-14 20:00:00

MRFG35003M6T1规格书详情

3.5 GHz, 3 W, 6 V POWER FET GaAs PHEMT

Designed for 3.5 GHz WLL/MMDS/BWA or UMTS applications. Characterized from 0.5 to 5.0 GHz. Device is unmatched and is characterized for use in Class AB Customer Premise Equipment (CPE) applications.

• Typical W–CDMA Performance: –42 dBc ACPR, 3.55 GHz, 6 Volts, IDQ = 180 mA

Output Power — 450 mWatts

Power Gain — 9 dB

Efficiency — 24

• 3 Watts P1dB @ 3.55 GHz

• Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics

• High Gain, High Efficiency and High Linearity

• In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.

产品属性

  • 产品编号:

    MRFG35003M6T1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    pHEMT FET

  • 频率:

    3.55GHz

  • 增益:

    9dB

  • 功率 - 输出:

    3W

  • 封装/外壳:

    PLD-1.5

  • 供应商器件封装:

    PLD-1.5

  • 描述:

    FET RF 8V 3.55GHZ 1.5-PLD

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