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MRFG35010NT1	文件：173.43 Kbytes Page：10 Pages	Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor GalliumArsenidePHEMTRFPowerFieldEffectTransistor DesignedforWLL/MMDS/BWAorUMTSdriverapplicationswithfrequenciesfrom1.8to3.6GHz.ThisdeviceisunmatchedandissuitableforuseinClassABlinearbasestationapplications. •TypicalW-CDMAPerformance:-42dBcACPR,3.55GHz,	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
MRFG35010NT1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：PLD-1.5 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 15V 3.55GHZ 1.5-PLD	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

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MRFG35010NT1

文件：173.43 Kbytes

Page：10 Pages

Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

GalliumArsenidePHEMTRFPowerFieldEffectTransistor DesignedforWLL/MMDS/BWAorUMTSdriverapplicationswithfrequenciesfrom1.8to3.6GHz.ThisdeviceisunmatchedandissuitableforuseinClassABlinearbasestationapplications. •TypicalW-CDMAPerformance:-42dBcACPR,3.55GHz,

freescaleFreescaleiscreatingasmarter

飞思卡尔

freescale

MRFG35010NT1

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：卷带（TR）封装/外壳：PLD-1.5 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 15V 3.55GHZ 1.5-PLD

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp

产品属性

产品编号：
MRFG35010NT1
制造商：
NXP USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
pHEMT FET
频率：
3.55GHz
增益：
10dB
功率 - 输出：
9W
封装/外壳：
PLD-1.5
供应商器件封装：
PLD-1.5
描述：
FET RF 15V 3.55GHZ 1.5-PLD

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更多MRFG35010NT1供应商更新时间2024-4-30 10:30:00

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