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MRFG35010ANT1	文件：260.399 Kbytes Page：12 Pages	Gallium Arsenide PHEMT 3.5 GHz, 9 W, 12 V POWER FET GaAs PHEMT Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications. Characterized from 500 to 5000 MHz. Device is unmatched and is suitable for use in Class AB Customer Premise Equipment (CPE) applications. • Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 12 Volts, I 文件：260.399 Kbytes 页数：12 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
MRFG35010ANT1	文件：1.13431 Mbytes Page：25 Pages	Gallium Arsenide pHEMT RF Power Field Effect Transistor 文件：1.13431 Mbytes 页数：25 Pages	恩XP	恩XP
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详细参数

型号：
MRFG35010ANT1
功能描述：
射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N
RoHS：
否
制造商：
TriQuint Semiconductor
技术类型：
pHEMT
频率：
500 MHz to 3 GHz
增益：
10 dB
噪声系数：
正向跨导
gFS（最大值/最小值）：
4 S 漏源电压
闸/源击穿电压：
- 8 V
漏极连续电流：
3 A
最大工作温度：
+ 150 C
功率耗散：
10 W

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