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MRFG35010ANT1	文件：260.399 Kbytes Page：12 Pages	Gallium Arsenide PHEMT 3.5GHz,9W,12VPOWERFETGaAsPHEMT DesignedforWLL/MMDS/BWAorUMTSdriverapplications.Characterizedfrom500to5000MHz.DeviceisunmatchedandissuitableforuseinClassABCustomerPremiseEquipment(CPE)applications. •TypicalSingle-CarrierW-CDMAPerformance:VDD=12Volts,I	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
MRFG35010ANT1	文件：1.13431 Mbytes Page：25 Pages	Gallium Arsenide pHEMT RF Power Field Effect Transistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
MRFG35010ANT1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：PLD-1.5 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

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MRFG35010ANT1

文件：260.399 Kbytes

Page：12 Pages

Gallium Arsenide PHEMT

3.5GHz,9W,12VPOWERFETGaAsPHEMT DesignedforWLL/MMDS/BWAorUMTSdriverapplications.Characterizedfrom500to5000MHz.DeviceisunmatchedandissuitableforuseinClassABCustomerPremiseEquipment(CPE)applications. •TypicalSingle-CarrierW-CDMAPerformance:VDD=12Volts,I

freescaleFreescaleiscreatingasmarter

飞思卡尔

freescale

MRFG35010ANT1

文件：1.13431 Mbytes

Page：25 Pages

Gallium Arsenide pHEMT RF Power Field Effect Transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp

MRFG35010ANT1

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：托盘封装/外壳：PLD-1.5 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp

产品属性

产品编号：
MRFG35010ANT1
制造商：
NXP USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
pHEMT FET
频率：
3.55GHz
增益：
10dB
功率 - 输出：
9W
封装/外壳：
PLD-1.5
供应商器件封装：
PLD-1.5
描述：
FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5

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更多MRFG35010ANT1供应商更新时间2024-4-30 10:20:00

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