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MRFG35003N6AT1	文件：221.41 Kbytes Page：11 Pages	Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor 3.5GHz,3W,6VPOWERFETGaAsPHEMT DesignedforWLL/MMDS/BWAorUMTSdriverapplicationswithfrequenciesfrom500to5000MHz.DeviceisunmatchedandissuitableforuseinClassABCustomerPremiseEquipment(CPE)applications. •TypicalSingle-CarrierW-CDMAPerformance:VDD=6Volts,I	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
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Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

3.5GHz,3W,6VPOWERFETGaAsPHEMT DesignedforWLL/MMDS/BWAorUMTSdriverapplicationswithfrequenciesfrom500to5000MHz.DeviceisunmatchedandissuitableforuseinClassABCustomerPremiseEquipment(CPE)applications. •TypicalSingle-CarrierW-CDMAPerformance:VDD=6Volts,I

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Gallium Arsenide PHEMT

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包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：PLD-1.5 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5

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产品属性

产品编号：
MRFG35003N6AT1
制造商：
NXP USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
pHEMT FET
频率：
3.55GHz
增益：
10dB
功率 - 输出：
450mW
封装/外壳：
PLD-1.5
供应商器件封装：
PLD-1.5
描述：
FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5

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