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MRFE6S9135HSR3

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs Designedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationswithfrequenciesupto1000MHz.Thehighgainandbroadbandperformanceofthesedevicesmakethemidealforlarge-signal,common-sourceamplifierapplica

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飞思卡尔

MRFE6S9135HSR3

包装:卷带(TR) 封装/外壳:NI-880S 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:FET RF 66V 940MHZ NI-880S

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

产品属性

  • 产品编号:

    MRFE6S9135HSR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    940MHz

  • 增益:

    21dB

  • 功率 - 输出:

    39W

  • 封装/外壳:

    NI-880S

  • 供应商器件封装:

    NI-880S

  • 描述:

    FET RF 66V 940MHZ NI-880S

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更多MRFE6S9135HSR3供应商 更新时间2024-4-30 13:30:00