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MRFE6S9135HSR3	文件：447.63 Kbytes Page：12 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs Designedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationswithfrequenciesupto1000MHz.Thehighgainandbroadbandperformanceofthesedevicesmakethemidealforlarge-signal,common-sourceamplifierapplica	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体
MRFE6VP5600H	文件：0 bytes Page：0 Pages	Freescale/飞思卡尔高频管	Freescale/飞思卡尔上传：深圳市翔睿腾科技有限公司	Freescale/飞思卡尔
MRFE6VP61K25H	文件：0 bytes Page：0 Pages	Freescale 高频管	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体上传：深圳市翔睿腾科技有限公司
MRFE6VS25L	文件：0 bytes Page：0 Pages	NXP SMD	恩XP 上传：深圳航星空电子技术有限公司	恩XP
MRSS32W	文件：0 bytes Page：0 Pages	NEC SOT	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社上传：深圳市讯运电子有限公司

详细参数

型号：
MRFE6S9135HSR3
功能描述：
射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 135W NI880S
RoHS：
否
制造商：
Freescale Semiconductor
配置：
Single
频率：
1800 MHz to 2000 MHz
增益：
27 dB
输出功率：
100 W
封装/箱体：
NI-780-4
封装：
Tray

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