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MRFE6VP61K25HR6	文件：972.77 Kbytes Page：23 Pages	RF Power LDMOS Transistors RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs These high ruggedness devices are designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital), aerospace and radio/land mobile applications. They are unmatc 文件：972.77 Kbytes 页数：23 Pages	恩XP	恩XP
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MRFE6VP61K25HR6	文件：933.63 Kbytes Page：13 Pages	RF Power Field Effect Transistors Enhancement--Mode Lateral MOSFETs 文件：933.63 Kbytes 页数：13 Pages	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
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详细参数

型号：
MRFE6VP61K25HR6
功能描述：
射频MOSFET电源晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H
RoHS：
否
制造商：
Freescale Semiconductor
配置：
Single
频率：
1800 MHz to 2000 MHz
增益：
27 dB
输出功率：
100 W
封装/箱体：
NI-780-4
封装：
Tray

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